IT之家 11 月 1 日音书，字据 DigiTimes 报说念，Samsung Foundry 副总裁 Jeong Gi-Tae 领略比特派官网，bitpie冷钱包，三星行将推出 SF1.4（1.4 nm）工艺中，纳米片（nanosheets）的数目从 3 个增多到 4 个，有望彰着改善性能和功耗。

已故LPGA名人堂成员凯西-惠特沃斯（Kathy Whitworth）、长期的PGA教练罗伯特-多伦（Robert Dolan）、唐-维格森（Don Wegrzyn）和赫伯-温伯利（Herb Wimberly）也将入选。

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三星正在寻求扩大其在 Gate-All-Around (GAA) 平台方面的向上地位比特派官网，bitpie冷钱包，在推出基于 GAA 的 SF3E 之后，缠绵 2027 年上线 SF1.4（1.4nm）工艺，通过增多纳米片数目进一步改善工艺。

每个晶体管增多纳米片数目，不错增强驱动电流，从而提升性能，更多的纳米片允许更多的电流流过晶体管，从而增强其开关智商和入手速率。

此外，更多的纳米片不错更好地限度电流，这有助于减少走电流，从而镌汰功耗。此外，改换的电流限度还意味着晶体管产生的热量更少，从而提升了功率效果。

IT之家此前报说念，三星还缠绵在 1.4nm 工艺中袭取背部供电（BSPDN）技巧，旨在更好地挖掘晶圆后面空间的后劲，但于今仍未在人人限度内合手行。

天然现在半导体行业已不再使用栅极长度和金属半节距来为技巧节点进行系统定名，但毫无疑问现在的工艺技巧亦然数字越小越先进。

跟着半导体工艺微缩蹊径不休地上前发展，集成电路内电路与电路间的距离也不休缩窄，从而对彼此产生干豫，而 BSPDN 技巧则不错克服这一扬弃，这是因为咱们不错诈欺晶圆后面来构建供电蹊径，以分隔电路和电源空间。

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《三星缠绵 2027 年让 1.4nm 工艺用上 BSPDN 背部供电技巧》

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