IT之家 11 月 1 日音书比特派官网，bitpie冷钱包，阐明 DigiTimes 报说念，Samsung Foundry 副总裁 Jeong Gi-Tae 透露，三星行将推出 SF1.4（1.4 nm）工艺中，纳米片（nanosheets）的数目从 3 个加多到 4 个，有望显著改善性能和功耗。

三星正在寻求扩大其在 Gate-All-Around (GAA) 平台方面的卓越地位，在推出基于 GAA 的 SF3E 之后，野心 2027 年上线 SF1.4（1.4nm）工艺，通过加多纳米片数目进一步改善工艺。

每个晶体管加多纳米片数目，不错增强驱动电流，从而提升性能，更多的纳米片允许更多的电流流过晶体管，从而增强其开关技艺和初始速率。

此外，更多的纳米片不错更好地限度电流，这有助于减少走电流比特派官网，bitpie冷钱包，从而裁汰功耗。此外，翻新的电流限度还意味着晶体管产生的热量更少，从而提升了功率恶果。

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IT之家此前报说念，三星还野心在 1.4nm 工艺中取舍背部供电（BSPDN）本事，旨在更好地挖掘晶圆后头空间的后劲，但于今仍未在公共领域内推行。

天然现在半导体行业已不再使用栅极长度和金属半节距来为本事节点进行系统定名，但毫无疑问现在的工艺本事亦然数字越小越先进。

跟着半导体工艺微缩门道不断地上前发展，集成电路内电路与电路间的距离也不断缩窄，从而对彼此产生干预，而 BSPDN 本事则不错克服这一截止，这是因为咱们不错讹诈晶圆后头来构建供电门道，以分隔电路和电源空间。

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《三星野心 2027 年让 1.4nm 工艺用上 BSPDN 背部供电本事》

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